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| ■SBN |
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光変調器、ドメインエンジニアリング素子など
新規電気光学素子用 |
| ■オキサイド製SBNの主な特長 |
物質材料研究所で研究開発された全自動原料連続供給二重坩堝ステファノフ法により
世界で初めてストリエーションフリーのSBN結晶が実現
・化学式：(SrxBa1-xO)1-y(Nb2O5) y 0.75 > x > 0.25, 0.505 > y > 0.497 1
・高い電気光学係数（ｒ33：460〜1400pm/V）2
・優れた光学的均一性（δｎ＜1×10-4）3
・大きな誘電率（ε：〜250）
・低い分極反転電圧（Ef：〜0.25ｋV/mm）
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| ■関連製品 |
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| ■技術情報〜論文リスト |
| Collaboration Groupからの論文抜粋（2000年以降） |
| 1) |
S.Takekawa, Y.Furukawa, N.Kaneko and K.Kitamura; “Single Crystal Growth of SBN by the Floating Zone Method”, J. Crystal Growth, 229 (2001) 212. |
| 2) |
S.Takekawa, Y.Furukawa, M.Lee and K.Kitamura; “Double crucible Stepanov technique for the growth of striation-free SBN single crystal”, J.Crystal Growth, 229 (2001) 238. |
| 3) |
K.Terabe, S.Takekawa, M.Nakamura, K.Kitamura, S.Higuchi, Y.Gotoh and A.Gruverman; “Imaging and engineering the nanoscale-domain structure of a Sr0.61Ba0.39Nb2O6 crystal using a scanning force microscope”, Appl.Phys.Lett., 81 (2002) 2044. |
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| 引用論文 |
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| 1 |
J.R.Carruthers and M.Grasso, J. Electrochem Soc., 117 (1970) 1426 |
| 2 |
R.R.Neurgaonkar et al., Opt Eng., 26 (1987) 392 |
| 3 |
S.Takekawa, J. Cryst. Growth, 229 (2001) 212 |
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